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三星电子（Samsung Electronics）已入辖下手创建测试线，以擢升第七代（1d）DRAM良率。韩媒Business Korea报谈，内存为10纳米等第，外界解读三星包括HBM等DRAM鸿沟失去上风，为了拉大与竞争敌手差距，采后发制东谈主投资。

业界音讯传出，三星已于第四季开动在平泽P2厂构建10纳米级第七代DRAM测试线。业界也称之为“单旅途线”（one path），来岁第一季建成。

测试产线是测试新半导体家具量产后劲的规范，一朝下一代芯片性能在研发阶段时细则，就会在此引进芯片，开动擢升量产良率。咫尺还不细则平泽10纳米级第七代DRAM厂房的范围，但时时装配测试产线每月可处理约1万片芯片。

三星3月好意思国“MemCon 2024”布告，2026年前量产第七代DRAM，至于前身第六代（1c）DRAM，狡计2025年量产。故这条第七代测试线与第六代DRAM量产准备责任同步进行。

三星狡计明岁首开动以平泽P4厂为中心引进半导体缔造，分娩10纳米级第六代DRAM，并加速良率脚步，认识是来岁5月前获取公司量产认证（PRA）。此外，为了顺利第六代DRAM量产，三星将DRAM东谈主员从华城厂调派至平泽厂。

三星第六代DRAM还没参加量产阶段前就先盖第七代厂房，外界合计是将来岁视为重夺上风的起步年，故事先投资。天下DRAM制造龙头的三星最近遭受要紧打击，HBM市集被第二大公司SK海力士夺走，10纳米级第六代内存开采速率也过期敌手。

要是要夺回指令地位，必须加速家具开采，从三星新东谈主事变动可窥见。三星副董事长全永铉（Jeon Young-hyun）从半导体业务的缔造科罚有野心（DS）隆重东谈主改为首席奉行官（CEO），同期兼任内存业务和三星抽象本领院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）隆重东谈主。他以遍及驱能源著称，将斗胆鼓舞三星本领开采和投资。

业界东谈主士施展，全永铉当今更密切参与三星内存本领，预估会从主力家具DRAM开动强力翻新。

三星也加速投资NAND，最近平泽一厂装配业界第一条400层NAND（V10）测试线，并在平泽四厂NAND厂房添置286层V9缔造。

（首图起头：三星）